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韩国蔚山科学技术院研发出一款超小型混合LDO，采用28纳米工艺，面积仅0.032平方毫米且无需外接电容。其在快速负载变化下保持卓越稳压与降噪性能，综合指标创0.029皮秒新纪录，为AI、6G等高集成度芯片提供高效电源解决方案。
中科院微电子所联合青禾晶元等单位，成功基于4H-SiC/金刚石复合衬底制备高散热GaN HEMT器件，界面热阻降至13.6 m²·K/GW，器件热阻相比SiC衬底降低61.4%，结温降低40.5℃。该成果发表于IEEE Electron D...
中国科学家成功研发可在液氮温区（-196℃）工作的量子超导二极管，厚度仅100纳米，整流效率达100%，实现完全零能耗。该成果发表于《自然·物理》，为量子计算、微波电路等新一代超导电子学器件产业化奠定基础。
深入解析铝电解电容与固态电容的构造、性能差异（ESR、寿命、纹波），并提供在开关电源输入输出滤波电路中的具体选型计算方法和替换注意事项。
本文系统讲解贴片电阻的关键参数、主流品牌（国巨、厚声、风华）差异、选型计算及常见应用失效分析，为工程师提供实用参考。
本文系统阐述电子元器件的来料检验方法，详细解析外观检查、电性测试及可靠性验证的具体实施标准和操作流程。