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N 沟道 MOS 管：导通电阻低至 5mΩ（Vgs=10V），最大漏极电流 50A，开关时间≤50ns，TO-220 封装带散热片设计，全新出厂的芯片散热涂层无老化，散热效率提升 10%，有效降低开关损耗；
快恢复二极管：反向恢复时间≤30ns，正向电流 30A，反向耐压 1200V，正向压降≤1.2V，玻璃钝化封装（GP）耐湿性强，全新生产的 PN 结无杂质残留，反向漏电流≤0.5μA，减少整流损耗；
方案优化：两款器件配套使用于充电桩 LLC 谐振电路，MOS 管负责高频开关控制，快恢复二极管承担整流续流功能，协同提升电路转换效率。
效率突破：充电桩电源转换效率从 95% 提升至 98.2%，每小时节电约 0.56 度，年节电超 4900 度，符合国家 “双碳” 政策要求；
稳定性提升：在 85℃高温环境下连续工作 2000 小时，器件温升≤45℃，无性能衰减，充电桩故障率从 0.8% 降至 0.1%；
空间适配：两款器件紧凑封装设计，使充电桩内部功率模块体积缩小 15%，帮助客户实现产品小型化设计，降低生产成本。
“全新生产的 MOS 管和快恢复二极管性能表现超出预期，不仅让充电桩效率实现了质的飞跃，其稳定的品质也为我们的产品口碑提供了有力支撑，后续将持续批量采购。”—— 客户项目负责人
