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中国半导体国产化进入攻坚期 2030 年自给率将突破 40%

作者:小编    发布时间:2025-11-20 16:05:05    浏览量:

近日发布的《2025 至 2030 中国半导体产业国产化进程与突破路径研究报告》显示,在政策加码与市场需求双重驱动下,中国半导体产业国产化率正加速提升,预计 2025 年将达 25%,2030 年有望突破 40%,实现从 “跟跑” 向 “并跑” 的跨越。这一数据标志着我国半导体产业在关键领域自主可控的攻坚取得阶段性成果。

中国半导体国产化进入攻坚期 2030 年自给率将突破 40%(图1)

报告显示,2024 年中国半导体市场规模已突破 2.1 万亿元人民币,预计 2030 年将增长至 3.8 万亿元,年均复合增长率达 10.3%。在制造端,中芯国际、华虹半导体等本土晶圆厂持续扩产,2025 年 12 英寸晶圆月产能预计突破 150 万片,较 2023 年增长近一倍,占全球产能比重将提升至 22%。设备与材料领域的突破尤为显著,北方华创、中微公司在刻蚀、薄膜沉积等设备环节实现 28nm 产线批量验证,沪硅产业 12 英寸硅片产能持续扩张,推动国产半导体设备整体自给率从当前的 25% 向 2030 年 50% 的目标迈进。

中国半导体国产化进入攻坚期 2030 年自给率将突破 40%(图2)

细分赛道中,第三代半导体成为国产替代的核心突破口。报告预测,碳化硅器件市场规模 2030 年将超过 500 亿元,年复合增长率达 35% 以上。政策层面,国家大基金三期规模预计超 3000 亿元,联合地方产业基金形成资金支持体系,通过税收优惠、人才引进等配套措施,五年内将新增半导体相关专业人才超 30 万人。“新型举国体制” 正推动 “设计 — 制造 — 封测 — 设备 — 材料” 全链条整合,龙头企业牵头组建的创新联合体加速技术攻关。

中国半导体国产化进入攻坚期 2030 年自给率将突破 40%(图3)

值得关注的是,车规级芯片国产化进程提速明显,渗透率有望从不足 5% 提升至 25%。面对中美科技博弈长期化趋势,国内产业正从 “被动防御” 转向 “主动布局”,通过与欧洲、日韩在设备与材料领域的有限合作,优化知识产权布局。行业专家指出,随着 AI、智能汽车等下游应用爆发,成熟制程将成为国产化基本盘,先进制程逐步突破,中国半导体产业将构建起具备韧性的本土生态体系。


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